一種制造重?fù)诫s氮化鎵場效應(yīng)晶體管的方法
|
公開(公告)號
|
CN1901144A
|
|
公開(公告)日
|
2007.01.24
|
|
申請(專利)號
|
CN200610086059.2
|
|
申請日期
|
2006.07.21
|
|
專利名稱
|
一種制造重?fù)诫s氮化鎵場效應(yīng)晶體管的方法
|
|
主分類號
|
H01L21/335(2006.01)I
|
|
分類號
|
H01L21/335(2006.01)I
|
|
分案原申請?zhí)? |
|
|
優(yōu)先權(quán)
|
|
|
申請(專利權(quán))人
|
中國電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所
|
|
發(fā)明(設(shè)計(jì))人
|
薛舫時
|
|
地址
|
210016江蘇省南京市中山東路524號
|
|
頒證日
|
|
|
國際申請
|
|
|
進(jìn)入國家日期
|
|
|
專利代理機(jī)構(gòu)
|
南京天華專利代理有限責(zé)任公司
|
|
代理人
|
徐冬濤;瞿網(wǎng)蘭
|
|
國省代碼
|
江蘇;32
|
|
主權(quán)項(xiàng)
|
一種制造重?fù)诫s氮化鎵場效應(yīng)晶體管的方法，其特征是它包括以下步驟： 首先在襯底(9)上生長成核層(10)、緩沖層(11)和溝道層(12)；然后生長AlN隔離層(13)和重?fù)诫sAlGaN勢壘層(14)，控制摻雜層(14)的厚度和摻雜濃度使之達(dá)到1013/cm2量級的高濃度摻雜，以增大外溝道中的電子氣密度，提高漏電流，使外溝道在射頻工作周期內(nèi)不被夾斷，同時利用高密度外溝道電子氣來平抑溝道中的電場峰，阻止高能熱電子隧穿到虛柵表面，抑制電流崩塌；最后在生長不摻雜帽層(15)后經(jīng)臺面隔離、歐姆接觸制作后光刻柵電極窗口，并用CF4進(jìn)行氟等離子體處理，控制等離子體發(fā)射功率在100-150W之間，處理時間在120-180s之間，以實(shí)現(xiàn)將夾斷電壓調(diào)節(jié)到設(shè)定范圍的目的，再在所開窗口的勢壘層上自對準(zhǔn)淀積柵金屬，制作肖特基勢壘并在N2氣氛中進(jìn)行退火以消除等離子體處理產(chǎn)生的缺陷即得本發(fā)明的重?fù)诫s場效應(yīng)晶體管。
|
|
摘要
|
本發(fā)明針對現(xiàn)有的氮化鎵場效應(yīng)管由于摻雜量無法提高而致使其性能不能得到改善的問題，發(fā)明一種既能對氮化鎵場效應(yīng)管進(jìn)行重?fù)诫s，又不會因重?fù)诫s而引起常見的電流崩塌現(xiàn)象，從而能顯著增大輸出功率的制造重?fù)诫s氮化鎵場效應(yīng)晶體管的方法，它包括首先在襯底9上生長成核層10、緩沖層11和溝道層12；然后生長AlN隔離層13和重?fù)诫sAlGaN勢壘層14，最后在生長不摻雜帽層15后經(jīng)臺面隔離、歐姆接觸制作后光刻柵電極窗口，并用CF4進(jìn)行氟等離子體處理，控制等離子體發(fā)射功率和處理時間，以實(shí)現(xiàn)將夾斷電壓調(diào)節(jié)到設(shè)定范圍的目的，再在所開窗口的勢壘層上自對準(zhǔn)淀積柵金屬，制作肖特基勢壘并在N2氣氛中進(jìn)行退火以消除等離子體處理產(chǎn)生的缺陷即得本發(fā)明的重?fù)诫s場效應(yīng)晶體管。有利于增大器件的功率。
|
|
國際公布
|
|
...
