| 公開(公告)號 | CN1901139A |
| 公開(公告)日 | 2007.01.24 |
| 申請(專利)號 | CN200510084357.3 |
| 申請日期 | 2005.07.19 |
| 專利名稱 | 砷化鎵襯底上制備納米尺寸坑的方法 |
| 主分類號 | H01L21/18(2006.01)I |
| 分類號 | H01L21/18(2006.01)I;H01L33/00(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
| 分案原申請?zhí)? | |
| 優(yōu)先權(quán) | |
| 申請(專利權(quán))人 | 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人 | 李 凱;葉小玲;王占國 |
| 地址 | 100083北京市海淀區(qū)清華東路甲35號 |
| 頒證日 | |
| 國際申請 | |
| 進(jìn)入國家日期 | |
| 專利代理機(jī)構(gòu) | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 |
| 代理人 | 湯保平 |
| 國省代碼 | 北京;11 |
| 主權(quán)項 | 一種砷化鎵襯底上制備納米尺寸坑的方法，其特征在于，包括如下步驟： 步驟1：以半絕緣砷化鎵單晶片為襯底； 步驟2：異質(zhì)外延生長砷化銦應(yīng)變自組裝納米點； 步驟3：外延砷化鎵薄層，使其部分覆蓋上述砷化銦納米點； 步驟4：第一次退火； 步驟5：襯底溫度降溫至400℃以下； 步驟6：襯底溫度升溫到500-530℃； 步驟7：第二次退火，在砷化鎵襯底上形成納米尺寸坑。 |
| 摘要 | 一種砷化鎵襯底上制備納米尺寸坑的方法，其特征在于，包括如下步驟：步驟1：以半絕緣砷化鎵單晶片為襯底；步驟2：異質(zhì)外延生長砷化銦應(yīng)變自組裝納米點；步驟3：外延砷化鎵薄層，使其部分覆蓋上述砷化銦納米點；步驟4：第一次退火；步驟5：襯底溫度降溫至400℃以下；步驟6：襯底溫度升溫到500-530℃；步驟7：第二次退火，在砷化鎵襯底上形成納米尺寸坑。 |
| 國際公布 |
