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砷化鎵襯底上制備納米尺寸坑的方法

醫(yī)藥數(shù)據(jù)庫中心 藥學(xué)論壇 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所/李凱;葉小玲;王占國
公開(公告)號 CN1901139A  
公開(公告)日 2007.01.24  
申請(專利)號 CN200510084357.3  
申請日期 2005.07.19  
專利名稱 砷化鎵襯底上制備納米尺寸坑的方法  
主分類號 H01L21/18(2006.01)I  
分類號 H01L21/18(2006.01)I;H01L33/00(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I  
分案原申請?zhí)?  
優(yōu)先權(quán)  
申請(專利權(quán))人 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所  
發(fā)明(設(shè)計)人 李 凱;葉小玲;王占國  
地址 100083北京市海淀區(qū)清華東路甲35號  
頒證日  
國際申請  
進(jìn)入國家日期  
專利代理機(jī)構(gòu) 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司  
代理人 湯保平  
國省代碼 北京;11  
主權(quán)項 一種砷化鎵襯底上制備納米尺寸坑的方法,其特征在于,包括如下步驟: 步驟1:以半絕緣砷化鎵單晶片為襯底; 步驟2:異質(zhì)外延生長砷化銦應(yīng)變自組裝納米點; 步驟3:外延砷化鎵薄層,使其部分覆蓋上述砷化銦納米點; 步驟4:第一次退火; 步驟5:襯底溫度降溫至400℃以下; 步驟6:襯底溫度升溫到500-530℃; 步驟7:第二次退火,在砷化鎵襯底上形成納米尺寸坑。  
摘要 一種砷化鎵襯底上制備納米尺寸坑的方法,其特征在于,包括如下步驟:步驟1:以半絕緣砷化鎵單晶片為襯底;步驟2:異質(zhì)外延生長砷化銦應(yīng)變自組裝納米點;步驟3:外延砷化鎵薄層,使其部分覆蓋上述砷化銦納米點;步驟4:第一次退火;步驟5:襯底溫度降溫至400℃以下;步驟6:襯底溫度升溫到500-530℃;步驟7:第二次退火,在砷化鎵襯底上形成納米尺寸坑。  
國際公布  
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